Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FD600R17KE3_B2

FD600R17KE3_B2

FD600R17KE3_B2
FD600R17KE3_B2
Артикул: FD600R17KE3_B2
Описание: FD600R17KE3_B2
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Configuration Single Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current 950 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD600R17KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Configuration Single Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current 950 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD600R17KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet