FD800R33KF2C-K
FD800R33KF2C-K
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
3300 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
1300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD800R33KF2C-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
3300 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
1300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD800R33KF2C-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

