FD900R12IP4DV
FD900R12IP4DV
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD900R12IP4DV: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD900R12IP4DV: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

