FF1000R17IE4DP_B2
FF1000R17IE4DP_B2
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1000R17IE4DP_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1000R17IE4DP_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

