Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF100R12RT4

FF100R12RT4

FF100R12RT4
FF100R12RT4
Артикул: FF100R12RT4
Описание: FF100R12RT4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Power Dissipation 555 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF100R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Power Dissipation 555 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF100R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet