Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF1200R12IE5

FF1200R12IE5

FF1200R12IE5
FF1200R12IE5
Артикул: FF1200R12IE5
Описание: FF1200R12IE5
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1200 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1200R12IE5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1200 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1200R12IE5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet