Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF1200R17IP5BPSA1

FF1200R17IP5BPSA1

FF1200R17IP5BPSA1
FF1200R17IP5BPSA1
Артикул: FF1200R17IP5BPSA1
Описание: FF1200R17IP5BPSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1200 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1200R17IP5BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1200 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1200R17IP5BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet