Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF150R12ME3G

FF150R12ME3G

FF150R12ME3G
FF150R12ME3G
Артикул: FF150R12ME3G
Описание: FF150R12ME3G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 200 A
Power Dissipation 695 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12ME3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 200 A
Power Dissipation 695 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12ME3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet