Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF150R12MS4G

FF150R12MS4G

FF150R12MS4G
FF150R12MS4G
Артикул: FF150R12MS4G
Описание: FF150R12MS4G
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 225 A
Power Dissipation 1250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12MS4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 225 A
Power Dissipation 1250 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12MS4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet