FF150R17ME3G
FF150R17ME3G
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
240 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R17ME3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
240 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R17ME3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

