Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF200R12KE4

FF200R12KE4

FF200R12KE4
FF200R12KE4
Артикул: FF200R12KE4
Описание: FF200R12KE4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 240 A
Power Dissipation 1100 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.05 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 240 A
Power Dissipation 1100 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet