Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF225R12ME4PB11BPSA1

FF225R12ME4PB11BPSA1

FF225R12ME4PB11BPSA1
FF225R12ME4PB11BPSA1
Артикул: FF225R12ME4PB11BPSA1
Описание: FF225R12ME4PB11BPSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 225 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R12ME4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 225 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R12ME4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet