FF225R12MS4
FF225R12MS4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
275 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R12MS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
275 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R12MS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

