Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF225R17ME4

FF225R17ME4

FF225R17ME4
FF225R17ME4
Артикул:
Описание: FF225R17ME4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 340 A
Power Dissipation 1500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R17ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 340 A
Power Dissipation 1500 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R17ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet