Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF300R07KE4

FF300R07KE4

FF300R07KE4
FF300R07KE4
Артикул: FF300R07KE4
Описание: FF300R07KE4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 365 A
Power Dissipation 940 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R07KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 365 A
Power Dissipation 940 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R07KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet