Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF300R12KS4PHOSA1

FF300R12KS4PHOSA1

FF300R12KS4PHOSA1
FF300R12KS4PHOSA1
Артикул: FF300R12KS4PHOSA1
Описание: FF300R12KS4PHOSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KS4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KS4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet