Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF300R12KT3P_E

FF300R12KT3P_E

FF300R12KT3P_E
FF300R12KT3P_E
Артикул: FF300R12KT3P_E
Описание: FF300R12KT3P_E
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KT3P_E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 300 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KT3P_E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet