История:
APT13005DI-G1
FF300R12ME3
FF300R12ME3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
500 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
500 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

