Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF300R12ME4

FF300R12ME4

FF300R12ME4
FF300R12ME4
Артикул: FF300R12ME4
Описание: FF300R12ME4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 0.4 uA
Continuous Collector Current 450 A
Power Dissipation 1.6 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 0.4 uA
Continuous Collector Current 450 A
Power Dissipation 1.6 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet