История:
IXFN21N100Q
CG31.3L-01
LTC6957IMS-4
FF300R17ME3
FF300R17ME3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
375 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R17ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
375 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R17ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

