История:
APT13005DI-G1
FF450R12IE4
FF450R12IE4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
450 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
450 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

