Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF450R12ME3

FF450R12ME3

FF450R12ME3
FF450R12ME3
Артикул: FF450R12ME3
Описание: FF450R12ME3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 600 A
Power Dissipation 2.1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 600 A
Power Dissipation 2.1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet