Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF450R33T3E3BPSA1

FF450R33T3E3BPSA1

FF450R33T3E3BPSA1
FF450R33T3E3BPSA1
Артикул: FF450R33T3E3BPSA1
Описание: FF450R33T3E3BPSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 3300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 450 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R33T3E3BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 3300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 450 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R33T3E3BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet