Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF600R06ME3

FF600R06ME3

FF600R06ME3
FF600R06ME3
Артикул: FF600R06ME3
Описание: FF600R06ME3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 700 A
Power Dissipation 1650 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R06ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 700 A
Power Dissipation 1650 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R06ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet