Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF600R07ME4_B11

FF600R07ME4_B11

FF600R07ME4_B11
FF600R07ME4_B11
Артикул: FF600R07ME4_B11
Описание: FF600R07ME4_B11
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 700 A
Power Dissipation 1800 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R07ME4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 700 A
Power Dissipation 1800 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R07ME4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet