Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF600R12ME4

FF600R12ME4

FF600R12ME4
FF600R12ME4
Артикул: FF600R12ME4
Описание: FF600R12ME4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 995 A
Power Dissipation 4050 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 995 A
Power Dissipation 4050 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet