Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF600R12ME4EB11BOSA1

FF600R12ME4EB11BOSA1

FF600R12ME4EB11BOSA1
FF600R12ME4EB11BOSA1
Артикул: FF600R12ME4EB11BOSA1
Описание: FF600R12ME4EB11BOSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Common Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 600 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4EB11BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Common Emitter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 600 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4EB11BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet