История:
FP10R12W1T4PB11BPSA1
FP10R06KL4
FF600R17KE3_B2
FF600R17KE3_B2
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Dual Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current
950 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R17KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1700 V
Configuration
Dual Dual Collector Dual Emitter
Continuous Collector Current
950 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R17KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

