Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF650R17IE4

FF650R17IE4

FF650R17IE4
FF650R17IE4
Артикул: FF650R17IE4
Описание: FF650R17IE4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 930 A
Power Dissipation 4.15 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF650R17IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.45 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 930 A
Power Dissipation 4.15 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF650R17IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet