История:
TH349H39GSSN
FP100R12KT4_B11
FF650R17IE4V
FF650R17IE4V
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF650R17IE4V: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF650R17IE4V: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

