Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF75R12RT4

FF75R12RT4

FF75R12RT4
FF75R12RT4
Артикул: FF75R12RT4
Описание: FF75R12RT4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 395 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF75R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 395 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF75R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet