История:
GTCR38-231M-R10
C8051F389-B-GM
FF75R12YT3
FF75R12YT3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF75R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Dual
Continuous Collector Current
100 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF75R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

