Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF800R12KE3

FF800R12KE3

FF800R12KE3
FF800R12KE3
Артикул: FF800R12KE3
Описание: FF800R12KE3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1200 A
Power Dissipation 3.9 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF800R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 1200 A
Power Dissipation 3.9 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF800R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet