Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FF900R12IP4

FF900R12IP4

FF900R12IP4
FF900R12IP4
Артикул: FF900R12IP4
Описание: FF900R12IP4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 900 A
Power Dissipation 5.1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Dual
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 900 A
Power Dissipation 5.1 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet