История:
FP10R12W1T4PBPSA1
FF900R12IP4DV
FF900R12IP4DV
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IP4DV: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IP4DV: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

