Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FNE41060

FNE41060

FNE41060
FNE41060
Артикул: FNE41060
Описание: FNE41060
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration 3-Phase
Continuous Collector Current 10 A
Power Dissipation 34 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FNE41060: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer ON Semiconductor
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration 3-Phase
Continuous Collector Current 10 A
Power Dissipation 34 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FNE41060: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet