Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP100R06KE3

FP100R06KE3

FP100R06KE3
FP100R06KE3
Артикул: FP100R06KE3
Описание: FP100R06KE3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration Array 7
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 335 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP100R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Configuration Array 7
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 335 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP100R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet