Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP100R12KT4

FP100R12KT4

FP100R12KT4
FP100R12KT4
Артикул: FP100R12KT4
Описание: FP100R12KT4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 5.15 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP100R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration 3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 100 A
Power Dissipation 5.15 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP100R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet