Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP10R06W1E3

FP10R06W1E3

FP10R06W1E3
FP10R06W1E3
Артикул: FP10R06W1E3
Описание: FP10R06W1E3
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Array 7
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 16 A
Power Dissipation 68 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Array 7
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 16 A
Power Dissipation 68 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet