История:
PIC32MX550F256HT-50I/PT
LC4256ZC-75MN132I
FP10R12W1T4
FP10R12W1T4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Array 7
Continuous Collector Current
20 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Array 7
Continuous Collector Current
20 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

