Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP10R12W1T7PB3BPSA1

FP10R12W1T7PB3BPSA1

FP10R12W1T7PB3BPSA1
FP10R12W1T7PB3BPSA1
Артикул: FP10R12W1T7PB3BPSA1
Описание: FP10R12W1T7PB3BPSA1
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 10 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T7PB3BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Configuration Quad
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 10 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T7PB3BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet