FP10R12YT3
FP10R12YT3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Array 7
Continuous Collector Current
16 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Array 7
Continuous Collector Current
16 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

