История:
ATSAM4S8BA-MUR
STM32L451VCT6
STM32L476RGT6TR
FP150R07N3E4
FP150R07N3E4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP150R07N3E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP150R07N3E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

