Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP150R12KT4P

FP150R12KT4P

FP150R12KT4P
FP150R12KT4P
Артикул: FP150R12KT4P
Описание: FP150R12KT4P
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP150R12KT4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.75 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Continuous Collector Current 150 A
Power Dissipation 20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP150R12KT4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet