Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP15R06YE3_B4

FP15R06YE3_B4

FP15R06YE3_B4
FP15R06YE3_B4
Артикул:
Описание: FP15R06YE3_B4
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 22 A
Power Dissipation 71.5 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R06YE3_B4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.55 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 22 A
Power Dissipation 71.5 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R06YE3_B4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet