История:
P1100ECMCLRP2
FP15R12KE3
FP15R12KE3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
27 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
27 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

