История:
LX2160SC72029B
PT7C5035ALC-5GWF
FP15R12W1T4
FP15R12W1T4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
28 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
Hex
Continuous Collector Current
28 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP15R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

