FP20R06W1E3
FP20R06W1E3
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Array 7
Continuous Collector Current
27 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP20R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
Array 7
Continuous Collector Current
27 A
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP20R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

