FP20R06YE3_B4
FP20R06YE3_B4
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
IGBT-Inverter
Continuous Collector Current
40 A
Power Dissipation
170 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP20R06YE3_B4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Configuration
IGBT-Inverter
Continuous Collector Current
40 A
Power Dissipation
170 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP20R06YE3_B4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

