Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
FP25R12KS4C

FP25R12KS4C

FP25R12KS4C
FP25R12KS4C
Артикул: FP25R12KS4C
Описание: FP25R12KS4C
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 25 A
Power Dissipation 230 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12KS4C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Infineon
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 3.2 V
Configuration Hex
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 25 A
Power Dissipation 230 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12KS4C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet